一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
确切的说，DDR3不是延迟高，而是CL值比较高，CL不能和延迟划等号的。
认为DDR3延迟比DDR2严重是一种误解，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其内存延迟均为15ns。CAS Latency是指内存需要经过多少个周期，才能开始读写资料，但要计算整个内存条的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。
现在DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，其内存延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns，相比DDR2改善约25%，因此消费者以CAS数值当成内存条的延迟值是不正确的。
DDR3内存是8bit读取，而DDR2是4bit读取，这个可以理解为DDR3内存CL值比较高的原因，因为它一次性读取的数据更多，CL值高是可以理解的。但在算上频率的优势后，DDR3相对DDR2内存还是有性能优势的。何况，DDR3的高频适合超频，而且功耗也更低，带宽也更大，这更符合发展趋势。
从工作模式上来看，两都有区别，但我自己用很多评分软件来测评，发现这两种工作模式性能得分都一样，就算把它们调到1000，评分还是一样。
以上是针对同一内存来说的。
实际中，内存1333的和1600的还是有一定差别的，因为1600的是默认在1600模式下工作，说明它的技术已经较1333的成熟了。这只是针对内存工作模式上来说，
但在我们买内存的过程中，你会发现，有的1600内存性能还不如1333，这是很正常的现象，因为它们的结构是一样的，工作模式高了，它的延迟会相应降低，也就是厂家出厂时内存的默认各种参数，所以，选内存不光看它工作频率，还要看它的各种默认参数。当然，这些参数是可以通过超频来提升的，如果内存体质好，提升的幅度可以大一些，体质不好，提升了就会不稳定或是传输数据出错。
总的说来，现在内存的双通道技术1333的已经完全满足现在出的高档CPU需求，所以，现在配机子都是要配两条内存的，也就是说，一条4G的性能远不如2条2G的性能。
这么说吧，一条2G和一条4G内存在WIN7评分均为5.5左右，但2条就会到7.5左右，DC模式为单通道+和双通道+评分一样。
具体说明一下，1333一般延迟会在9，9，9，26，35，而1600会在9，11，11，30，41。两都性能都是一样的。也就是说，如果你的一条1333和一条1600组成双通道，两条都会在1333模式下工作，1600的性能并无影响。如果你都调到1600，性能也不会有所提升。
小结一下，相同频率的内存，默认延迟参数赿小，性能赿好。
按照顺序依次是：
26表示频率是2666Mhz；
S表示内存类型是SODIMM（也就是笔记本用内存）；
19表示CL值是19（CL=内存延迟）；
S表示是单RANK内存，D就表示双RANK内存；
8表示采用的颗粒位宽，8是8bit；
16就表示容量16GB；
SP以前表示是节能型内存，现在不清楚是否还是这个意思。
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